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VS-20ETF02S-M3相关型号

D55342K07B28B0RT3

RES SMD 28K OHM 0.1% 1/4W 1206
D55342K07B2B10RT3

RES SMD 2.1K OHM 0.1% 1/4W 1206
D55342K07B2B80RT3

RES SMD 2.8K OHM 0.1% 1/4W 1206
D55342K07B3B01RT3

RES SMD 3.01K OHM 0.1% 1/4W 1206
D55342K07B40B1RT3

RES SMD 40.1K OHM 0.1% 1/4W 1206
WSL36371L000DBA

RES 0.001 OHM 0.5% 3W 3637
WSL36371L000DEK

RES 0.001 OHM 0.5% 3W 3637
WSL36371L500DBA

RES 0.0015 OHM 0.5% 3W 3637

Vishay(威世)热销型号

ORNV20021002T0

RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC
ORNV20025001T0

RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC
ORNV10025002T0

RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC
ORNV10022502T0

RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC
ORNV10022002T0

RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC
ORNV10021002T0

RES NETWORK 5 RES 10K OHM 8SOIC
ORNV10025001T0

RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC
ORNV50015002T0

RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC

图片仅供参考，请参考产品描述

VS-20ETF02S-M3

制造商：Vishay Semiconductor Diodes Division

批号：19+

描述：DIODE GEN PURP 200V 20A TO263AB

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库存数量：2000+

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详细参数

包装标准卷带
系列-
零件状态有源
二极管类型标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）200V
电流 - 平均整流（Io）20A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.3V @ 20A
速度快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）160ns
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 200V
不同Vr，F 时的电容-
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装TO-263（D2Pak）
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C

其它信息

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15197503018

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